又名敏，獲台灣大學學士，美國華盛頓大學碩士，及史丹福大學電機科博士學位。 畢業後任職培爾實驗室研究員，主任（一九六三至一九八九）。

    一九九○年自培爾公司退休，應聘為台灣交通大學電子系講座教授。自一九九八年開始兼任『國家纳米元件實驗室』主任。曾擔任多所大學之客座教授，包括：台灣交通大學、台灣大學、劍橋大學、中山大學、東北大學、北京大學、清華大學、上海交通大學、复旦大学、山东大学、苏州大学、安徽大学、西安交通大學、吉林大學。

    福佑對半導體器件有開拓性之貢獻。於一九六七年發明『非揮發性半導體記憶體』，被廣泛應用於可攜帶式電子產品中，包括大哥大，手提計算機，數位照相機，及全球定位系統。曾發表科技專文近200篇，並著書及主編書籍十二冊。其中一九六九年著『半導體器件物理學』（一九八一年二版、二○○七年三版）為近代工程及應用科學被引用最多之文獻。曾獲『國際電機電子學會』之『依伯獎』，中山學術獎，傑出科技榮譽獎，及國家講座等。一九七七年當選國際電機電子學會傑出會員。

    一九九四，一九九五及一九九八年分別當選為台灣中央研究院院士，美國國家工程院院士及中國工程院外籍院士。

      娶王氏令儀，台灣大學畢業，再獲加州大學化學碩士。乃遼寧王鐵漢先生之次女。生子一：迪凡；女一：怡凡。福佑於一九三六年三月二十一日（丙子二月二十八日酉時）生。王氏於一九三七年八月十七日（丁丑七月十二日寅時）生。

    二○一三年六月，《电子时报》记者王丽娟的著作《施敏与数位时代的故事》出版，被誉为“最佳前程參考書”。

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